（來源：編譯自nasdaq）
三星電子有限公司周二宣布，計劃到 2030 年投資約 20 萬億韓元，在器興園區內建設新的半導體研發綜合體 (NRD-K)，占地面積約 109,000 平方米。該綜合體還將包括一條研發專用生產線，計劃于 2025 年中期投入運營。
作為一座最先進的設施，NRD-K 于 2022 年開始動工，并將成為三星存儲器、系統 LSI 和代工半導體研發的重要研究基地。
憑借其先進的基礎設施，研究和產品級驗證將能夠在同一屋檐下進行。
三星位于首爾南部的器興園區是 1992 年世界上第一顆 64 兆位 (Mb) DRAM 的誕生地，標志著該公司在半導體領域的領導地位的開始。
新研發設施的建立將帶來工藝技術和制造工具的最新發展，延續該基地在創新前沿的傳統。
NRD-K 將配備HighN A極紫外（EUV）光刻和新材料沉積設備，旨在加速開發下一代存儲器半導體，例如具有 1,000 層以上的 3D DRAM 和 V-NAND。
此外，具有創新晶圓對晶圓鍵合功能的晶圓鍵合基礎設施也計劃對接。
今年第三季度，三星在研發方面投入了創紀錄的 8.87 萬億韓元，并不斷突破界限，以確保未來技術的競爭力，例如用于高帶寬存儲器 (HBM) 生產的先進封裝。
擴建中國蘇州的封裝工廠
三星電子正在擴大對韓國本土和海外生產基地的投資，以加強其先進的半導體封裝業務。封裝包括塑造半導體芯片以適合其安裝設備的技術和工藝。隨著 HBM4 等下一代高帶寬內存 (HBM) 產品的內部封裝工藝的重要性不斷增加，三星正致力于增強其封裝能力，以確保未來的技術競爭力并縮小與 SK 海力士的差距。
據業內消息人士報道，三星電子簽署了第三季度銷售和采購半導體設備的合同，以擴大其中國蘇州工廠（SESS）的生產設施。該合同價值約200億韓元。
蘇州工廠是目前三星電子唯一的海外測試和封裝生產基地，此舉被視為封裝工藝和生產效率創新的選擇。設備交易期間，負責全球制造和基礎設施通用測試和封裝（TP）中心的副總裁李政三（Lee Jung-sam）被任命為蘇州工廠的負責人，該職位自去年以來一直空缺。去年年底。
三星也在加速擴大韓國本土封裝生產基地。最近，該公司與忠清南道和天安市簽署了投資協議，以擴大半導體封裝工藝設施。該協議包括到 2027 年底在天安市從三星顯示器租賃的 280,000 平方米場地上為 HBM 建造先進的封裝設施。
三星電子目前在天安和溫陽園區運營封裝生產基地。由于持續的設施投資，溫陽園區已達到飽和，促使該公司考慮在天安建立一條用于 HBM 大規模生產的新包裝線。天安堆疊工藝的擴張與HBM DRAM的產能成正比。天安工廠的新生產線預計將生產最新的 HBM，包括第 5 代 (HBM3E) 和第 6 代 (HBM4)。
三星還正在建立先進的封裝研發（R&D）系統。該公司計劃在今年內運營位于日本橫濱的先進封裝實驗室（APL），該實驗室自去年底開始建設。今年年初以來，三星一直在設立APL辦公室，擴大員工隊伍，建立潔凈室，計劃到2028年投資400億日元（約3600億韓元）。該實驗室將專注于高價值芯片技術用于下一代 HBM、人工智能 (AI) 和第五代 (5G) 移動通信。
封裝基地的擴張是縮小與HBM龍頭SK海力士差距的策略。值得注意的是，隨著主堆棧從現有的8層變為12層，下一代產品HBM4所需的封裝方法正在發生變化。此前，2.5D 方法將圖形處理單元 (GPU) 和 HBM 水平放置，但從 HBM4 開始，轉向 3D 方法，將 HBM 堆疊在 GPU 之上。
另一個重大變化是轉向為客戶量身定制的大規模生產。這意味著能否利用先進封裝技術實現客戶所需的性能成為關鍵的選擇標準。對于HBM4封裝，三星目前正在開發各種先進封裝技術，包括生產12層和16層產品所需的混合鍵合技術。
一位業內人士表示，“三星希望通過第6代HBM實現扭虧為盈，因此將繼續努力擴大封裝技術和量產能力的差距。”
